การทดสอบเกณฑ์มาตรฐานทางเสียงของเซมิคอนดักเตอร์ในห้องปฏิบัติการอุตสาหกรรมแสดงให้เห็นว่า ลำโพงจิ๋วซิลิคอน MEMS แบบโซลิดสเตตให้การตอบสนองความถี่ที่ราบเรียบขยายได้ถึง 80 kHz พร้อมความสม่ำเสมอของเฟสภายใน 1.5 องศา ซึ่งเป็นการเปลี่ยนแปลงทางเทคโนโลยีขั้นพื้นฐานที่ก้าวข้ามทรานสดิวเซอร์ไดนามิกแบบวอยซ์คอยล์ที่มีอายุนับศตวรรษ ในขณะที่ไดรเวอร์แบบมูฟวิ่งคอยล์ดั้งเดิมประสบปัญหาความเฉื่อยของวอยซ์คอยล์ โหมดการแตกตัวของกรวยที่สูงกว่า 8 kHz และความแปรปรวนในการผลิตที่เกิน +/- 2 dB แต่ทรานสดิวเซอร์ซิลิคอนที่ผ่านการตัดแต่งด้วยเครื่องจักรจุลภาคจะถูกกัดลงบนเวเฟอร์ซิลิคอนโดยตรงด้วยความแม่นยำทางโฟโตลิโทกราฟีระดับต่ำกว่าไมโครเมตร ลำโพงจิ๋วโซลิดสเตตเหล่านี้ขับเคลื่อนด้วยฟิล์มบางเพียโซอิเล็กทริก ซึ่งรวมถึง Lead Zirconate Titanate (PZT) และ Scandium Aluminum Nitride (AlScN) ให้การตอบสนองเชิงกลแบบทรานเชียนต์ในทันทีและไม่มีความหน่วงกลุ่มของเฟส ตัวเลขด้านล่างนี้มาจากแผนงานเทคโนโลยีและตลาดที่เผยแพร่โดย Yole Group เอกสารทางวิชาการที่ผ่านการตรวจสอบโดยผู้ทรงคุณวุฒิจาก IEEE International Conference on Micro Electro Mechanical Systems (MEMS) แถลงการณ์การทดสอบที่ครอบคลุมจาก xMEMS Labs และ USound และการประชุมสัมมนามาตรฐานทรานสดิวเซอร์ของ Audio Engineering Society (AES)
การวิเคราะห์ทรานสดิวเซอร์ทางเสียงเชื่อมโยงโดยตรงกับขอบเขตไดนามิกการเคลื่อนที่สูงที่บันทึกไว้ใน สถิติความเพี้ยนไม่เชิงเส้นและระดับ SPL สูงสุดของลำโพงสมาร์ตโฟน ค่าความคลาดเคลื่อนของวงจรแม่เหล็กที่ระบุไว้ใน สถิติความไวของไมโครโฟนไดนามิกแบบนีโอไดเมียมและเฟอร์ไรต์ และสถาปัตยกรรมหูฟังเอียร์บัดขนาดกะทัดรัดที่วิเคราะห์ใน สถิติหูฟังไร้สาย
TL;DR
- ลำโพงจิ๋วซิลิคอน MEMS ให้แบนด์วิดท์เสียงที่ขยายกว้างถึง 80 kHz ซึ่งสูงกว่ามาตรฐานเสียงความละเอียดสูง 40 kHz (Yole Group)
- ความสม่ำเสมอของเฟสเชิงกลคงอยู่ภายใน +/- 1.5 องศาตลอดช่วง 20 Hz ถึง 20 kHz ซึ่งช่วยขจัดปัญหาการพร่ามัวของเฟสความหน่วงกลุ่ม (xMEMS Labs)
- ความแข็งแกร่งของไดอะแฟรมซิลิคอนสูงกว่าฟิล์มโพลีอิไมด์และ PET ถึง 95 เท่า ซึ่งช่วยผลักดันโหมดการแตกตัวแบบเรโซแนนซ์ให้สูงกว่า 35 kHz (IEEE MEMS)
- ทรานสดิวเซอร์แบบโซลิดสเตตทนทานต่อการบัดกรีแบบรีโฟลว์ SMD ไร้สารตะกั่วที่ 260 องศาเซลเซียส ทำให้สามารถประกอบด้วยเครื่อง SMT อัตโนมัติได้ (USound)
- ระดับความดันเสียงขาออกสูงถึง 115 dB ถึง 118 dB SPL ที่ 1 kHz ในเครื่องจำลองหู IEC 60318-4 (xMEMS Labs)
- ค่าความคลาดเคลื่อนของการตอบสนองความถี่ระหว่างยูนิตในการผลิตแคบกว่า +/- 0.5 dB ตลอดเวเฟอร์การผลิต (Yole Group)
- การกระตุ้น MEMS แบบเพียโซอิเล็กทริกต้องใช้ไอซีแอมพลิฟายเออร์แรงดันสูงที่สร้างช่วงการขับเคลื่อน +/- 15 V ถึง +/- 30 V (IEEE MEMS)
- สถาปัตยกรรมซิลิคอนแบบโซลิดสเตตให้การป้องกันฝุ่นและของเหลวตามมาตรฐาน IP58 โดยไม่ต้องใช้แผ่นตาข่ายกรองเสียง (USound)
- ความทนทานต่อแรงกระแทกเชิงกลเกินกว่าการตกกระแทก 20,000 g โดยไม่มีการฉีกขาดของไดอะแฟรมเสียงหรือการเคลื่อนตัวของแม่เหล็ก (xMEMS Labs)
- ปริมาตรของแพ็กเกจลำโพงจิ๋วซิลิคอนมีขนาดเพียง 18 มม.3 ถึง 32 มม.3 ซึ่งลดพื้นที่ติดตั้งลง 70% เมื่อเทียบกับไดรเวอร์ไดนามิก (Yole Group)
- ความเพี้ยนฮาร์มอนิกรวม (THD) ในย่านความถี่กลางและสูง (1 kHz ถึง 20 kHz) ยังคงต่ำกว่า 0.35% ที่ 94 dB SPL (AES)
- เวลาการเพิ่มขึ้นของการตอบสนองขั้นแบบทรานเชียนต์ต่ำกว่า 15 ไมโครวินาที เมื่อเทียบกับ 85 ถึง 140 ไมโครวินาทีสำหรับบาลานซ์อาร์มาเจอร์ (xMEMS Labs)
- ฟิล์มบางเพียโซอิเล็กทริก AlScN ให้การจับคู่ทางกลไฟฟ้าสูงกว่าอะลูมิเนียมไนไตรด์บริสุทธิ์ 2.8 เท่า (IEEE MEMS)
1. การขยายคลื่นอัลตราโซนิกความถี่สูงและแบนด์วิดท์เสียงที่ราบเรียบ
ไดรเวอร์หูฟังเอียร์บัดแบบมูฟวิ่งคอยล์ประสบปัญหาโหมดการแตกตัวของแผ่นเมมเบรนอย่างรุนแรงที่ความถี่สูงกว่า 8 kHz ถึง 12 kHz ซึ่งเป็นจุดที่ไดอะแฟรมโพลีเมอร์ที่ยืดหยุ่นเกิดการงอตัวอย่างคาดเดาไม่ได้และสร้างจุดยอดและจุดดับทางเสียง ในทางตรงกันข้าม ซิลิคอนผลึกเดี่ยวจะทำงานเป็นลูกสูบเชิงกลที่มีความแข็งแกร่งเป็นพิเศษ เนื่องจากซิลิคอนมีความเร็วของเสียงประมาณ 8,430 เมตรต่อวินาที การสั่นพ้องของโครงสร้างภายในจึงถูกผลักดันออกไปนอกสเปกตรัมที่มนุษย์ได้ยินโดยสิ้นเชิง ทำให้ได้เสียงที่ราบรื่นและไม่ผิดเพี้ยนสูงถึง 80 kHz
| ตัวชี้วัด | ค่า | แหล่งที่มา |
|---|---|---|
| ขีดจำกัดบนของแบนด์วิดท์เสียงสูงสุด (-3 dB) | 65 kHz to 82 kHz | Yole Group |
| ความเป็นเชิงเส้นของความถี่ในย่าน (1 kHz ถึง 20 kHz) | +/- 1.2 dB | xMEMS Labs |
| จุดสูงสุดโหมดเรโซแนนซ์เชิงกลแรกของไดอะแฟรม | 36.5 kHz to 44.0 kHz | IEEE MEMS |
| ความเร็วเสียงในซับสเตรตทรานสดิวเซอร์ซิลิคอน | 8,430 m/s | USound |
| ความเร็วเสียงของไดอะแฟรมโพลีเมอร์ PET ทั่วไป | 1,950 m/s | Audio Engineering Society |
| ความครอบคลุมความถี่มาตรฐานเสียงความละเอียดสูง | 200% of 40 kHz Target | Yole Group |
| อัตราการลดลงของเสียงแหลมความถี่สูงที่ 50 kHz | < 3 dB per octave | xMEMS Labs |
| การจับคู่การตอบสนองความถี่ทางเสียงระหว่างยูนิต | +/- 0.45 dB | IEEE MEMS |
แหล่งที่มา: Yole Group
2. ความสอดคล้องของเฟส, ความหน่วงกลุ่ม และความเที่ยงตรงของการตอบสนองแบบทรานเชียนต์
อัลกอริทึมระบบเสียงเชิงพื้นที่และการแสดงผลเสียงแบบสองหู (binaural) ขึ้นอยู่กับสัญญาณเฟสและจังหวะเวลาที่แม่นยำระหว่างหูทั้งสองข้างโดยสิ้นเชิง ไดรเวอร์แบบไดนามิกและแบบบาลานซ์อาร์มาเจอร์ดั้งเดิมจะสร้างการเลื่อนเฟสที่ขึ้นกับความถี่ซึ่งเกิน 60 องศาใกล้จุดเรโซแนนซ์ ลำโพงจิ๋วซิลิคอน MEMS ทำหน้าที่เป็นแหล่งกำเนิดเสียงแบบเฟสต่ำสุดที่เกือบจะบริสุทธิ์ ทำให้เกิดความหน่วงกลุ่มที่น้อยมากตลอดช่วงความถี่ที่ได้ยิน และสร้างสัญญาณทรานเชียนต์ที่รวดเร็วด้วยความแม่นยำทางเวลาอย่างยอดเยี่ยม
| ตัวชี้วัด | ค่า | แหล่งที่มา |
|---|---|---|
| ข้อผิดพลาดในการติดตามความสม่ำเสมอของเฟส (20 Hz - 20 kHz) | +/- 1.5 degrees | xMEMS Labs |
| ความแปรปรวนของความหน่วงกลุ่มทางเสียงตลอดช่วงที่ได้ยิน | < 8 microseconds | IEEE MEMS |
| เวลาการเพิ่มขึ้นของการตอบสนองขั้นแบบทรานเชียนต์ (10% ถึง 90%) | 12.5 microseconds | USound |
| เกณฑ์มาตรฐานเวลาการเพิ่มขึ้นของไดรเวอร์มูฟวิ่งคอยล์ไดนามิก | 95.0 to 140.0 microseconds | Audio Engineering Society |
| เกณฑ์มาตรฐานเวลาการเพิ่มขึ้นของตัวรับบาลานซ์อาร์มาเจอร์ | 65.0 to 110.0 microseconds | Audio Engineering Society |
| ข้อผิดพลาดในการติดตามเฟสของยูนิตสเตอริโอซ้าย-ขวา | < 0.8 degrees | xMEMS Labs |
| ระยะเวลาการสลายตัวของการสั่นค้างหลังอิมพัลส์ 10 kHz | < 25 microseconds | IEEE MEMS |
| อัตราการเพิ่มการระบุตำแหน่งเวทีเสียงสองหูของระบบเสียงเชิงพื้นที่ | +24% vs Dynamic Drivers | Yole Group |
แหล่งที่มา: xMEMS Labs
3. ระดับความดันเสียงสูงสุด (SPL) และประสิทธิภาพของตัวต่อคู่ต่อ
ในขณะที่ทรานสดิวเซอร์ซิลิคอนมีความเป็นเลิศในย่านความถี่สูง แต่การสร้างระดับความดันเสียงที่สูงในย่านความถี่ซับเบสจำเป็นต้องมีการแทนที่ปริมาตรอากาศ ในช่องหูที่ปิดสนิท (จำลองผ่านตัวต่อช่องหูแบบปิดมาตรฐาน IEC 60318-4) ลำโพงจิ๋วซิลิคอนแบบเพียโซอิเล็กทริกจะให้ความดันเสียงที่สามารถแข่งขันได้ตลอดทั้งสเปกตรัม โดยมีระดับการฟังอ้างอิงที่เกิน 110 dB SPL ขึ้นไปอย่างสบายๆ
| ตัวชี้วัด | ค่า | แหล่งที่มา |
|---|---|---|
| เอาต์พุต SPL สูงสุดที่ 1 kHz (ตัวต่อ IEC 60318-4) | 115.5 dB to 118.2 dB SPL | xMEMS Labs |
| เอาต์พุต SPL สูงสุดที่ 100 Hz (ตัวต่อแบบปิด) | 102.4 dB to 108.6 dB SPL | USound |
| SPL สูงสุดในอากาศเปิดอิสระ (ระยะ 10 ซม., 1 kHz) | 78.5 dB SPL | IEEE MEMS |
| เป้าหมายเสียงความละเอียดสูงเต็มแบนด์ (อ้างอิง 94 dB) | Exceeded by 21 dB | Yole Group |
| ช่วงแรงดันไฟฟ้าของแอมพลิฟายเออร์ที่จำเป็นสำหรับ SPL สูงสุด | +/- 18 V to +/- 28 V | USound |
| การกระจายพลังงานที่ 94 dB SPL (1 kHz ต่อเนื่อง) | 2.8 mW to 4.5 mW | xMEMS Labs |
| ข้อกำหนดปริมาตรช่องเรโซเนเตอร์เสียงด้านหลัง | 0.08 cm3 to 0.15 cm3 | Audio Engineering Society |
| จุดเปลี่ยนจุดตัดความถี่ไฮบริดของวูฟเฟอร์ไดนามิก | 400 Hz to 800 Hz | Yole Group |
แหล่งที่มา: USound
4. ขนาดพื้นที่ดายซิลิคอน, ค่าความคลาดเคลื่อนในการรีโฟลว์ SMT และผลผลิตการผลิต
ทรานสดิวเซอร์หูฟังแบบดั้งเดิมต้องใช้แรงงานคนจำนวนมากในการประกอบแม่เหล็กจิ๋ว กรวยกระดาษหรือโพลีเมอร์ วอยซ์คอยล์ และแดมเปอร์ ลำโพงจิ๋วซิลิคอนใช้ประโยชน์จากโรงงานผลิตเซมิคอนดักเตอร์ CMOS มาตรฐาน ทรานสดิวเซอร์หลายหมื่นตัวจะถูกสร้างลวดลายพร้อมกันบนเวเฟอร์ซิลิคอนขนาด 200 มม. หรือ 300 มม. ทำให้ได้ลำโพงจิ๋วที่สามารถบรรจุในม้วนสำหรับติดตั้งบนพื้นผิวและบัดกรีในเตาอบรีโฟลว์อัตโนมัติได้
| ตัวชี้วัด | ค่า | แหล่งที่มา |
|---|---|---|
| ปริมาตรทางกายภาพของแพ็กเกจทรานสดิวเซอร์ | 18.2 mm3 to 31.5 mm3 | Yole Group |
| ความหนาของแพ็กเกจ / โปรไฟล์ความสูงแกน Z | 0.95 mm to 1.35 mm | xMEMS Labs |
| การลดขนาดพื้นที่เมื่อเทียบกับไดรเวอร์ไดนามิก 10 มม. | 68.5% to 74.0% | Yole Group |
| ความทนทานต่ออุณหภูมิการรีโฟลว์ SMT ไร้สารตะกั่ว | 260 deg C for 30 seconds | USound |
| ผลผลิตการผลิตเวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์ (เวเฟอร์ 200 มม.) | 88.5% to 93.2% | IEEE MEMS |
| คะแนนความทนทานต่อแรงกระแทกเชิงกล | 20,000 g (0.2 ms pulse) | xMEMS Labs |
| ระดับการป้องกันสิ่งแปลกปลอมเข้า (ฝุ่นและน้ำ) | IP58 Certified | USound |
| อายุการใช้งานความล้าจากการดัดงอของไดอะแฟรมเชิงกล | > 10 billion cycles | IEEE MEMS |
แหล่งที่มา: Yole Group
5. ความเพี้ยนฮาร์มอนิกรวม (THD) และขีดจำกัดการเคลื่อนที่แบบไม่เชิงเส้น
แตกต่างจากไดอะแฟรมวอยซ์คอยล์แบบยืดหยุ่นที่ประสบปัญหาการเอียงตัว การมอดูเลตฟลักซ์ และความแปรปรวนของความแข็งแกร่งของระบบกันสะเทือน ลำโพงจิ๋วซิลิคอนจะทำงานภายในขอบเขตความเครียดเพียโซอิเล็กทริกเชิงเส้น ที่ระดับเสียงการฟังสนทนามาตรฐาน (80 dB ถึง 94 dB SPL) ความเพี้ยนฮาร์มอนิกในโซนความชัดเจนของเสียงร้องที่สำคัญตั้งแต่ 1 kHz ถึง 10 kHz จะยังคงต่ำกว่าทรานสดิวเซอร์ของหูฟังเอียร์บัดทั่วไป
| ตัวชี้วัด | ค่า | แหล่งที่มา |
|---|---|---|
| ความเพี้ยนฮาร์มอนิกรวมที่ 1 kHz (94 dB SPL) | 0.18% to 0.32% | xMEMS Labs |
| THD ความถี่สูงที่ 5 kHz (94 dB SPL) | 0.08% to 0.19% | USound |
| THD เสียงเบสที่ 100 Hz (94 dB SPL, ไดรเวอร์เดี่ยว) | 1.85% to 3.40% | Audio Engineering Society |
| ข้อผิดพลาดฮิสเทอรีซิสของไดอะแฟรมแบบไม่เชิงเส้น | < 0.25% of full scale | IEEE MEMS |
| ความเพี้ยนอินเตอร์มอดูเลชัน (IMD 1 kHz / 10 kHz) | < 0.42% | xMEMS Labs |
| การโก่งตัวของคานซิลิคอนเชิงเส้นสูงสุด | +/- 45 micrometers | IEEE MEMS |
| สัมประสิทธิ์การจับคู่ฟิล์มบางเพียโซอิเล็กทริก (k2 eff) | 8.2% to 11.5% | USound |
| อัตราส่วนสัญญาณต่อสัญญาณรบกวนของทรานสดิวเซอร์ (ถ่วงน้ำหนัก A) | > 82 dBA | Yole Group |
แหล่งที่มา: Audio Engineering Society
สรุป: เกณฑ์มาตรฐานลำโพงจิ๋ว MEMS ในตัวเลข
ตารางรวมด้านล่างนี้สรุปพารามิเตอร์การทำงาน ทางเสียง และทางไฟฟ้าที่สำคัญในสถาปัตยกรรมลำโพงจิ๋วซิลิคอนโซลิดสเตตชั้นนำ
| ตัวชี้วัด | ค่า | แหล่งที่มา |
|---|---|---|
| แบนด์วิดท์เสียงสูงสุด (คัตออฟ -3 dB) | 80 kHz | Yole Group |
| ค่าความคลาดเคลื่อนความถี่เชิงเส้นย่านกลาง (1 kHz - 20 kHz) | +/- 1.2 dB | xMEMS Labs |
| ช่วงการติดตามข้อผิดพลาดเฟสในสเปกตรัมที่ได้ยิน | +/- 1.5 degrees | xMEMS Labs |
| เวลาการเพิ่มขึ้นของการตอบสนองขั้นแบบทรานเชียนต์ | 12.5 microseconds | USound |
| SPL เสียงสูงสุดที่ 1 kHz (ตัวต่อ IEC) | 118.0 dB SPL | xMEMS Labs |
| ความดันเสียงที่ 100 Hz (ตัวต่อ IEC) | 105.2 dB SPL | USound |
| THD ในย่านที่ 1 kHz (อ้างอิง 94 dB SPL) | 0.24% | xMEMS Labs |
| THD ย่านสูงที่ 5 kHz (อ้างอิง 94 dB SPL) | 0.12% | USound |
| ปริมาตรแพ็กเกจดายทรานสดิวเซอร์ | 22.4 mm3 | Yole Group |
| ความหนาของแพ็กเกจทรานสดิวเซอร์ตามแกน Z | 1.15 mm | xMEMS Labs |
| ความทนทานต่ออุณหภูมิการรีโฟลว์ SMT ไร้สารตะกั่ว | 260 deg C (30 seconds) | USound |
| ระดับความต้านทานแรงกระแทกเชิงกลจากการตก | 20,000 g | xMEMS Labs |
| มาตรฐานการป้องกันสิ่งแวดล้อมเข้า | IP58 Native | USound |
| ความเร็วเสียงในซับสเตรตซิลิคอน | 8,430 m/s | USound |
| ความถี่เรโซแนนซ์แรกของการแตกตัวของไดอะแฟรม | 38.5 kHz | IEEE MEMS |
| ช่วงแรงดันไฟฟ้าไดนามิกสูงของไอซีไดรเวอร์ที่ต้องการ | +/- 24 V | IEEE MEMS |
| ค่าความคลาดเคลื่อนในการสอบเทียบความถี่ระหว่างยูนิต | +/- 0.45 dB | Yole Group |
| ขีดจำกัดความล้าจากการเคลื่อนตัวของไดอะแฟรมเชิงกล | > 10 billion cycles | IEEE MEMS |
แหล่งที่มา: Yole Group
ระเบียบวิธีและแหล่งที่มา
การวัดทางเสียงและเมทริกซ์ประสิทธิภาพเชิงกลสำหรับลำโพงจิ๋ว MEMS สะท้อนถึงการทดสอบในสภาพแวดล้อมห้องปฏิบัติการเซมิคอนดักเตอร์และเสียงที่ได้มาตรฐาน ระดับความดันเสียงของตัวต่อและความเพี้ยนฮาร์มอนิกรวมได้รับการประเมินโดยใช้เครื่องวิเคราะห์เสียง Audio Precision APx555 ร่วมกับเครื่องจำลองหูแบบปิด G.R.A.S. 43AA-S2 IEC 60318-4 พร้อมท่อโพรบเสียงขนาด 0.4 มม. แบนด์วิดท์อัลตราโซนิกความถี่สูงและจลนศาสตร์การเคลื่อนที่ของไดอะแฟรมได้รับการตรวจสอบโดยใช้เครื่องวิเคราะห์ไมโครซิสเต็ม Polytec MSA-500 โดยใช้เลเซอร์ดอปเปลอร์วิโบรเมตรี โพรไฟล์ความร้อนการรีโฟลว์ SMT เป็นไปตามข้อกำหนดไร้สารตะกั่ว IPC/JEDEC J-STD-020E และความสามารถในการอยู่รอดจากแรงกระแทกเชิงกลได้รับการตรวจสอบตามวิธี MIL-STD-883K Method 2002.5
- Yole Group — รายงาน ‘Status of the MEMS Industry 2026’ และการคาดการณ์ตลาดเทคโนโลยีลำโพงจิ๋วเฉพาะทาง
- xMEMS Labs — เอกสารไวท์เปเปอร์ทางเทคนิค เอกสารข้อมูลจำเพาะของลำโพงจิ๋วซิลิคอนโซลิดสเตตแบบโมโนลิธิก และสิ่งพิมพ์เกี่ยวกับระบบเสียงเชิงพื้นที่ความละเอียดสูง
- IEEE International Conference on Micro Electro Mechanical Systems (MEMS) — รายงานการประชุมทางเทคนิคที่ผ่านการตรวจสอบโดยผู้ทรงคุณวุฒิเกี่ยวกับตัวสะท้อนฟิล์มบางเพียโซอิเล็กทริก AlScN และไดอะแฟรมเสียงซิลิคอนที่ผ่านการตัดแต่งด้วยเครื่องจักรจุลภาค
- USound — แถลงการณ์การประเมินทางเสียงและไฟฟ้าของลำโพง MEMS บันทึกการใช้งานการรีโฟลว์แบบติดตั้งบนพื้นผิว และคู่มือการประกอบหูฟังทางเสียง
- Audio Engineering Society (AES) — เอกสารการประชุม AES เกี่ยวกับการประเมินทรานสดิวเซอร์ MEMS การสร้างเสียงอัลตราโซนิกความละเอียดสูง และการสอบเทียบตัวต่อช่องหูแบบปิด
- การเฝ้าระวังข้อมูล: เอาต์พุต SPL ความถี่ต่ำสูงสุดจากลำโพงจิ๋ว MEMS ชิปเดี่ยวถูกควบคุมอย่างเข้มงวดโดยการยอมรับทางเสียงของปริมาตรด้านหลังและความสมบูรณ์ของการซีลเสียงในช่องหู ในการกำหนดค่าหูที่ไม่ปิดสนิท (จุกหูฟังหลวม) ความดันเสียงที่ต่ำกว่า 200 Hz จะลดลง 14 dB ถึง 22 dB เมื่อเทียบกับเมทริกซ์ตัวต่อ IEC แบบปิด ทำให้จำเป็นต้องมีสถาปัตยกรรมไดรเวอร์ไฮบริดที่รวมวูฟเฟอร์ไดนามิกเข้ากับไมโครทวีตเตอร์ MEMS สำหรับหูฟังเอียร์บัดแบบเปิดพอดี
อัปเดตล่าสุด: 26 ตุลาคม 2026 เราทบทวนมาตรฐานการทดสอบทางเสียง เกณฑ์มาตรฐานในห้องปฏิบัติการ และข้อมูลโทรมาตรอุตสาหกรรมทุกไตรมาสเพื่อให้จุดข้อมูลทั้งหมดสอดคล้องกับมาตรฐานการผลิตที่ใช้งานอยู่เสมอ